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比亚迪申请 3C-SiC 外延片及其制备方法专利制得致命缺陷密度明显较低的 3C-SiC 外延片碳化硅内衬配方大全

时间: 2025-06-26

  金融界 2025 年 4 月 5 日消息,国家知识产权局信息显示,比亚迪股份有限公司申请一项名为“3C-SiC 外延片及其制备方法”的专利,公开号 CN 119753832 A,申请日期为 2024 年 1 月。

  专利摘要显示,本发明涉及碳化硅材料技术领域,公开了一种 3C‑SiC 外延片及其制备方法。该方法包括以下步骤:(1)对硅衬底进行第一刻蚀;(2)在刻蚀后的硅衬底表面上形成第一碳化缓冲层;(3)在第一工艺气体的存在下,在所述第一碳化缓冲层上进行异质外延生长;其中,所述第一工艺气体包括碳源和硅源,所述碳源包括氯基碳源。按照本发明所述的方法可以制得致命缺陷密度明显较低的 3C‑SiC 外延片。

  天眼查资料显示,比亚迪股份有限公司,成立于1995年,位于深圳市,是一家以从事电气机械和器材制造业为主的企业。企业注册资本290926.5855万人民币。通过天眼查大数据分析,比亚迪股份有限公司共对外投资了98家企业,参与招投标项目971次,财产线条,此外企业还拥有行政许可134个。

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