在半导体行业日新月异的今天，碳化硅（SiC）材料因其优越的性能被广泛应用于新能源和高压高温器件中。近日，西湖大学孵化的西湖仪器（杭州）技术有限公司再传喜讯，成功研发出12英寸碳化硅衬底的自动化激光剥离技术。
这项新技术的问世，针对12英寸及以上超大尺寸碳化硅衬底切片这一行业难题开创性地提供了解决方案。国立西湖大学工学院的教授仇旻指出，制造更大尺寸的碳化硅衬底对行业成本控制和效率提升至关重要。相比于传统的6英寸和8英寸衬底，12英寸的衬底不仅扩大了可用于芯片制造的面积，还显著提高了芯片的产量，并降低了单位芯片的制造成本。
值得注意的是，这项革命性技术通过实现碳化硅晶锭减薄、激光加工和衬底剥离的全自动化过程，使材料损耗几乎为零，从而大幅降低原材料成本。新技术还有效缩短了衬底出片的时间，确保未来超大尺寸碳化硅衬底的规模化量产变为现实。
这不仅是技术的突破，更是中国半导体行业挖掘潜力、提升竞争力的重要一步。通过不断创新与探索，我们将见证碳化硅在芯片制造领域的愈发重要的角色，未来可期！返回搜狐，查看更多
